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參數(shù)資料
| 型號： | TSC87251G2D-L16CB |
| 廠商： | TEMIC SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 微控制器/微處理器 |
| 英文描述： | B/16-BIT MICROCONTROLLER WITH SERIAL COMMUNICATION INTERFACES |
| 中文描述： | 16-BIT, OTPROM, 16 MHz, MICROCONTROLLER, PQCC44 |
| 封裝： | PLASTIC, LCC-44 |
| 文件頁數(shù)： | 13/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 153K |
| 代理商： | TSC87251G2D-L16CB |
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Qualpack TSC87251G2D
Rev. 0 – October 1999
13
3.3 Wafer Process Qualification
3.3.1 Process Module Reliability
This chapter contains all the information relative to the reliability of the SCMOS3 technology. Results
presented in the following sections concern the reliability of the basic process steps that build up the
technology.
3.3.1.1 Hot carrier qualification
STATIC NMOS DEGRADATION
Channel length in μm
Process corner
Substrate current in μA/μm
VD=5.5v, VG=2.25v
Substrate current in μA/μm
VD=3.6v, VG=1.6v
Lifetime in seconds for 10% shift of
Gm at VD=5.5v
Lifetime in seconds for 10% shift of
Gm at VD=3.6v
0.5
Fast
17
0.55
Fast
15
0.6
Fast
13.4
0.65
Fast
12.1
0.7
Fast
11.1
0.5
Typical
14.7
0.35
0.3
0.25
0.22
0.2
0.3
3.2e3
3.7e3
4.2e3
4.7e3
5.2e3
3.8e3
8e7
10e7
12e7
14e7
16e7
10e7
STATIC PMOS DEGRADATION
Channel length in μm
Process corner
Substrate current in μA/μm
VD=5.5v, VG=2.25v
Substrate current in μA/μm
VD=3.6v, VG=1.25v
Lifetime in seconds for 10% shift of
Gm at VD=5.5v
Lifetime in seconds for 10% shift of
Gm at VD=3.6v
0.5
Fast
0.31
0.55
Fast
0.28
0.6
Fast
0.25
0.65
Fast
0.22
0.7
Fast
0.21
0.5
Typical
0.24
2.3e-3
1.9e-3
1.6e-3
1.4e-3
1.1e-3
1.6e-3
2.7e4
3.1e4
3.5e4
3.9e4
4.3e4
3.5e4
2e7
2.5e7
3e7
3.8e7
4.6e7
3.2e7
EXPERIMENTAL RESULTS IN DYNAMIC MODE: hot carrier degradation effects on inverter
propagation time have been measured on oscillators running at 75 MHz at 7v and 6.5v. Accelerator
factor in voltage is then carried out and expected degradation laws at 5v and 3.3v derived. The following
graphs show the frequency degradation of oscillators running at 5v and 3.3v.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TSC83251G2D-L16CB | B/16-BIT MICROCONTROLLER WITH SERIAL COMMUNICATION INTERFACES |
| TSC83251G2D-L16CED | B/16-BIT MICROCONTROLLER WITH SERIAL COMMUNICATION INTERFACES |
| TSC87251G2D | B/16-BIT MICROCONTROLLER WITH SERIAL COMMUNICATION INTERFACES |
| TSC87251G2D-16CB | B/16-BIT MICROCONTROLLER WITH SERIAL COMMUNICATION INTERFACES |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| TSC87251G2D-L16CE | 功能描述:IC MCU 8BIT 32K OTP 16MHZ 44VQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:8x251 標準包裝:9 系列:87C 核心處理器:8051 芯體尺寸:8-位 速度:40/20MHz 連通性:UART/USART 外圍設備:POR，WDT 輸入/輸出數(shù):32 程序存儲器容量:32KB（32K x 8） 程序存儲器類型:OTP EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):4.5 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉換器:- 振蕩器型:內部 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:40-DIP（0.600"，15.24mm） 包裝:管件 |
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| TSC873CT A3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Silicon Planar Med Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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