參數資料
型號： TPCS8211
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII)
中文描述： 東芝場效應晶體管硅?頻道馬鞍山型（U型MOSIII）
文件頁數： 6/7頁
文件大?。?/td> 224K
代理商： TPCS8211
TPCS8211
2003-02-20
6
Drain-source voltage V
DS
(V)
D
D
Pulse width t
w
(S)
r
th
t
w
N
r
t
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Device mounted on a glass-epoxy board (a) (Note 2a)
①
Single-device operation (Note 3a)
②
Single-device value at dual operation (Note 3b)
Device mounted on a glass-epoxy board (b) (Note 2b)
③
Single-device operation (Note 3a)
④
Single-device value at dual operation (Note 3b)
(1)
0.1
1
0.3
0.5
3
5
10
30
50
100
300
1000
500
(2)
(3)
(4)
Single pulse
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
100
30
0.01
0.03
0.05
0.1
0.3
0.5
1
3
5
10
30
100
50
*
Single pulse Ta 25°C
Curves must be derated linearly
with increase in temperature.
ID max (pulse)
*
10 ms
*
1 ms
*
VDSS max
Single-device value at dual
operation
(Note 3b)
Safe operating area
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PDF描述
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