參數(shù)資料
型號(hào)： TP0620
廠商： ELAN Microelctronics Corp .
英文描述： P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓-200V，低門限2.4V，P溝道增強(qiáng)型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： P通道增強(qiáng)模式垂直的DMOS場(chǎng)效應(yīng)管（擊穿電壓- 200V的電壓，低門限為2.4V，P溝道增強(qiáng)型垂直的DMOS結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大小： 27K
代理商： TP0620
7-126
Gate Drive Dynamic Characteristics
On-Resistance vs. Drain Current
Transfer Characteristics
Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
200
C
0
-10
-20
-30
-40
150
100
50
0
-2
-4
-6
-8
-10
-50
0
50
100
150
1.15
0.9
-2.0
-1.0
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0
-10
-8
-6
-4
-2
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
1.1
1.05
1.0
0.95
-50
0
50
100
150
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
20
16
12
8
4
T
=-5
A
C
T
A
=150 C
°
T
=25
A
C
f = 1MHz
65 pF
170 pF
1.66
1.33
1.0
0.66
0.33
0
0
V
DS
= -25V
0
0
0
B
D
(
T
j
(
°
C)
I
D
(amperes)
BV
DSS
Variation with Temperature
R
D
(
V
GS
= -5V
V
GS
= -10V
T
j
(
°
C)
V
G
(
R
D
(
V
(th)
and R
DS
Variation with Temperature
V
GS
(volts)
I
D
V
(th)
@ -1mA
R
DS(ON)
@
-10V, -0.2A
Q
G
(nanocoulombs)
V
DS
(volts)
V
G
(
V
DS
= -10V
V
DS
= -40V
C
ISS
C
OSS
C
RSS
TP0620
Typical Performance Curves
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參數(shù)描述
TP0620N3 功能描述:MOSFET 200V 12Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TP0620N3-G 功能描述:MOSFET 200V 12Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TP0620N3-G P002 制造商:Supertex Inc 功能描述:P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
TP0620N3-G P003 制造商:Supertex Inc 功能描述:Trans MOSFET P-CH 200V 0.175A 3-Pin TO-92 T/R 制造商:Supertex Inc 功能描述:P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
TP0620N3-G P005 制造商:Supertex Inc 功能描述:P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
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