參數(shù)資料
型號： TP0610T
廠商： ELAN Microelctronics Corp .
英文描述： P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓-61V，P溝道增強(qiáng)型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管)
中文描述： P通道增強(qiáng)模式垂直的DMOS場效應(yīng)管（擊穿電壓- 61V，P溝道增強(qiáng)型垂直的DMOS結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 3/4頁
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代理商： TP0610T
7-121
Output Characteristics
-2.0
-1.6
-1.2
-0.8
-0.4
0
Saturation Characteristics
-2.0
-1.6
-1.2
-0.8
-0.4
0
Maximum Rated Safe Operating Area
-0.1
-100
-10
-1.0
-0.01
-0.1
-1.0
-0.001
Thermal Response Characteristics
T
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.001
10
0.01
0.1
1.0
Transconductance vs. Drain Current
Power Dissipation vs. Temperature
0
150
100
50
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
125
75
25
SOT-23
SOT-23 (DC)
0
-10
-20
V
DS
(volts)
-30
-50
-40
0
-2
-4
V
DS
(volts)
-6
-10
-8
SOT-23 (pulsed)
T
A
= 25
°
C
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
-0.2
-0.4
-0.6
-1.0
-0.8
-6V
-4V
-3V
-8V
-6V
-3V
-4V
-8V
T
A
= -55
°
C
25
°
C
125
°
C
SOT-23
T
A
= 25
°
C
P
D
= 0.36W
I
D
I
D
V
GS
= -10V
V
GS
= -10V
G
F
(
I
D
(amperes)
T
A
(
°
C)
P
D
(
V
DS
(volts)
I
D
t
p
(seconds)
Typical Performance Curves
TP0610T
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TP0620 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓-200V，低門限2.4V，P溝道增強(qiáng)型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管)
TP11362AV Quad Adaptive Differential PCM Processor
TP11362A Quad Adaptive Differential PCM Processor(四通道適應(yīng)性微分PCM處理器)
TP11362 CONNECTOR
TP11362AN CONNECTOR ACCESSORY
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TP0610T-G 功能描述:MOSFET -60V 100hm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TP0610TT1 制造商:SILICONIX 功能描述:*
TP0610T-T1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin TO-236 T/R
TP0620 制造商:SUPERTEX 制造商全稱:SUPERTEX 功能描述:P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TP0620N3 功能描述:MOSFET 200V 12Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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