參數(shù)資料
型號： TP0604
廠商： ELAN Microelctronics Corp .
英文描述： P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Quad Array(擊穿電壓-40V，低門限2.4V，P溝道增強型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管四陣列)
中文描述： P通道增強模式垂直的DMOS場效應(yīng)管四陣列（擊穿電壓- 40V的，低門限為2.4V，P溝道增強型垂直的DMOS結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管四陣列）
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 26K
代理商： TP0604
9-20
Output Characteristics
-5
-4
-3
-2
-1
0
-10
-20
V
DS
(volts)
-30
-50
-40
-9V
-8V
-7V
-6V
-5V
-4V
Saturation Characteristics
-5
-4
-3
-2
-1
0
-2
-4
V
DS
(volts)
-6
-10
-8
-5V
-7V
-4V
-6V
-8V
-9V
Maximum Rated Safe Operating Area
-0.1
-100
-10
-1
-0.1
-1.0
-10
SOW-20 (DC)
TA =25
°
C
SOW-20 (pulsed)
-0.01
Transconductance vs. Drain Current
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
-1
I
D
(amperes)
-2
-3
Power Dissipation vs. Ambient Temperature
0
150
100
50
2
1.6
1.2
0.8
0.4
SOW-20
125
75
25
0
0
0
I
D
I
D
VGS
= -10V
VGS
= -10V
G
F
T
A
(
°
C)
P
D
T
A
= 150
°
C
T
A
= 25
°
C
T
A
= -55
°
C
V
DS
= -25V
V
DS
(volts)
I
D
TP0604
Typical Performance Curves
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TP0604 CONNECTOR ACCESSORY
TP0604N3 CONNECTOR ACCESSORY
TP0604WG CONNECTOR ACCESSORY
TP0606 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓-60V，低門限2.4V，P溝道增強型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管)
TP0606 CONNECTOR ACCESSORY
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TP0604N3 功能描述:MOSFET 40V 2Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TP0604N3 P014 制造商:Supertex Inc 功能描述:Trans MOSFET P-CH 40V 0.43A 3-Pin TO-92 T/R
TP0604N3-G 功能描述:MOSFET 40V 2 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TP0604N3-G P002 制造商:Supertex Inc 功能描述:P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
TP0604N3-G P003 制造商:Supertex Inc 功能描述:P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
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