參數(shù)資料
型號(hào)： TP0202K-T1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
中文描述： P溝道30V的MOSFET
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 62K
代理商： TP0202K-T1
TP0202K
Vishay Siliconix
Document Number: 71609
S-41777—Rev. D, 04-Oct-04
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
200
400
Q
g
Total Gate Charge (pC)
600
800
1000 1200 1400 1600
I
D
= 200 mA
Gate Charge
V
G
V
DS
= 10 V
V
DS
= 16 V
0
10
20
30
40
50
0
4
8
12
16
20
Capacitance
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
C
C
rss
C
oss
C
iss
V
= 0 V
f = 1 MHz
0
200
400
600
800
1000
1200
0
1
2
3
4
5
6
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
1
2
3
4
5
Output Characteristics
Transfer Characteristics
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
I
V
GS
= 10 V
3.5 V
3 V
V
GS
Gate-to-Source Voltage (V)
I
T
J
=
55 C
125 C
25 C
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
V
GS
Gate -to-Source Voltage (V)
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
r
D
)
4.5 V
6 V
8 V
7 V
5.5 V
5 V
4 V
0
2
4
6
8
10
12
14
0
200
400
600
800
1000
On-Resistance vs. Drain Current
I
D
Drain Current (mA)
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
r
D
)
For the following graphs, p-channel negative polarities for all voltage and current values are represented as positive values.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TP0202K-T1-E3 P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
TP0202T P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓-20V的P溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管)
TP0202 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
TP0202T P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
TP0205A P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TP0202K-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 0.385A 1.4Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TP0202K-T1-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:P CH MOSFET -30V 385mA TO-236 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:P CH MOSFET, -30V, 385mA, TO-236
TP0202K-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 0.385A 350mW 3.5ohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TP0202T 功能描述:MOSFET 20V 0.41A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TP0202T-T1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 0.41A 3-Pin TO-236 T/R
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