參數(shù)資料
型號： TP0101T
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(漏源電壓-20V的P溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管)
中文描述： P通道增強(qiáng)型MOSFET晶體管（漏源電壓- 20V的的P溝道增強(qiáng)型MOSFET的晶體管）
文件頁數(shù)： 4/4頁
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代理商： TP0101T
TP0101T/TS
4
Siliconix
S-52430—Rev. C, 05-May-97
Typical Characteristics (25 C Unless Otherwise Noted)
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
P
–0.16
–0.06
0.04
0.14
0.24
0.34
–50
0
50
100
150
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
1
2
3
4
5
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Threshold Voltage
Single Pulse Power
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
2
1
0.1
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
N
T
30
–
r
D
)
V
SD
– Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
S
T
J
– Temperature ( C)
Time (sec)
V
V
G
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
I
D
= 50 A
I
D
= 0.5 A
10
1
0.1
0.01
0.001
0.01
0.1
1
100
10
10
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
T
C
= 25 C
Single Pulse
8
6
4
2
0
10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TP0202K CONNECTOR ACCESSORY
TP0202K-T1 P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
TP0202K-T1-E3 P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
TP0202T P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓-20V的P溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管)
TP0202 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TP0101TS 功能描述:MOSFET 20V 1A 0.35W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TP0101TS-T1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin TO-236 T/R
TP0101T-T1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin TO-236 T/R
TP0102 制造商:Distributed By MCM 功能描述:Seal Tape - 1/2'' x 520' 制造商:MCM 功能描述:PTFE THRAAD SEAL TAPE 1/2 X 520
TP0104N3 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | TO-92
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