參數(shù)資料
型號： TP0101T
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(漏源電壓-20V的P溝道增強型MOSFET晶體管)
中文描述： P通道增強型MOSFET晶體管（漏源電壓- 20V的的P溝道增強型MOSFET的晶體管）
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 51K
代理商： TP0101T
TP0101T/TS
Siliconix
S-52430—Rev. C, 05-May-97
3
Typical Characteristics (25 C Unless Otherwise Noted)
On-Resistance vs. Drain Current
Output Characteristics
Transfer Characteristics
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
–
I
D
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
D
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
0
1
2
3
4
0
0.5
1.0
1.5
2.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
25 C
T
C
= –55 C
125 C
2.5 V
3 V
V
GS
= 5 V
1.5 V
2 V
0
50
100
150
200
250
300
350
0
3
6
9
12
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
1.7
–50
0
50
100
150
0
1
2
3
4
5
6
7
0
600
1200
1800
2400
3000
0
1
2
3
4
0
1
2
3
4
5
Gate Charge
–
Q
g
– Total Gate Charge (pC)
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
C
oss
C
rss
C
iss
V
DS
= 6 V
I
D
= 0.5 A
–
r
D
)
I
D
– Drain Current (A)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 0.5 A
T
J
– Junction Temperature ( C)
(
–
r
D
)
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
0.5, 1 V
3.5 V
4 V
4.5 V
相關PDF資料
PDF描述
TP0202K CONNECTOR ACCESSORY
TP0202K-T1 P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
TP0202K-T1-E3 P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
TP0202T P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓-20V的P溝道增強型MOSFET晶體管)
TP0202 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
TP0101TS 功能描述:MOSFET 20V 1A 0.35W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TP0101TS-T1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin TO-236 T/R
TP0101T-T1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin TO-236 T/R
TP0102 制造商:Distributed By MCM 功能描述:Seal Tape - 1/2'' x 520' 制造商:MCM 功能描述:PTFE THRAAD SEAL TAPE 1/2 X 520
TP0104N3 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | TO-92
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