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參數(shù)資料
| 型號： | TN28F001BX-B90 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1-MBIT (128K x 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 128K X 8 FLASH 12V PROM, 90 ns, PQCC32 |
| 封裝： | 0.450 X 0.550 INCH, PLASTIC, LCC-32 |
| 文件頁數(shù)： | 20/33頁 |
| 文件大?。?/td> | 436K |
| 代理商： | TN28F001BX-B90 |
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28F001BX-T/28F001BX-B
AC CHARACTERISTICSDRead-Only Operations
(1)
Symbol
Parameter
Notes
28F001BX-70
28F001BX-90
Units
V
CC
e
5V
g
5%
30 pF
V
CC
e
5V
g
10%
100 pF
V
CC
e
5V
g
10%
100 pF
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
AVAV
t
RC
Read Cycle Time
70
75
90
ns
t
AVQV
t
ACC
Address to Output Delay
t
CE
CE
Y
to Output Delay
t
PHQV
t
PWH
RP
Y
to Output Delay
t
OE
OE
Y
to Output Delay
CE
Y
to Output in Low Z
70
75
90
ns
t
ELQV
2
70
75
90
ns
600
600
600
ns
t
GLQV
2
27
30
35
ns
t
ELQX
t
LZ
t
HZ
CE
Y
to Output in High Z
t
GLQX
t
OLZ
OE
Y
to Output in Low Z
OE
Y
to Output in High Z
3
0
0
0
ns
t
EHQZ
3
55
55
35
ns
3
0
0
0
ns
t
GHQZ
t
DF
3
30
30
30
ns
t
OH
Output Hold from
Address CE
Y
, or OE
Y
Change, Whichever
Occurs First
3
0
0
0
ns
NOTES:
1. See AC Input/Output Reference Waveform for timing measurements.
2. OE
Y
may be delayed up to t
CE
–t
OE
after the falling edge of CE
Y
without impact on t
CE
.
3. Sampled, but not 100% tested.
4. See High Speed Test Configuration.
5. See Standard Test Configuration.
20
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| TN28F001BX-T90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1-MBIT (128K x 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY |
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| TN28F010-90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
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