參數(shù)資料
型號(hào)： TN2010T
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode MOSFET(最小漏源擊穿電壓200V，夾斷電流0.12A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管)
中文描述： N溝道增強(qiáng)型MOSFET（最小漏源擊穿電壓為200V，夾斷電流0.12A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET的晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大小： 43K
代理商： TN2010T
TN2010T
4
Siliconix
S-52426—Rev. C, 14-Apr-97
Typical Characteristics (25 C Unless Otherwise Noted)
0.001
0.010
0.100
1.000
10.000
0.30
0.45
0.60
0.75
0.90
1.05
1.20
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Threshold Voltage
–
r
D
)
V
SD
– Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
S
T
J
– Temperature ( C)
9
9.5
10.0
10.5
11.0
11.5
12.0
3
5
7
9
11
13
15
17
19
–0.5
–0.4
–0.3
–0.2
–0.1
–0.0
0.1
0.2
0.3
–75
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
r
DS
@ I
D
= 100 m A
I
D
= 250 A
V
V
G
r
DS
@ I
D
= 50 m A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TN2010T N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor
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TN2404K N-Channel 240 -V (D-S) MOSFET
TN2404K-T1 N-Channel 240 -V (D-S) MOSFET
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參數(shù)描述
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