參數(shù)資料
型號： TN2010T
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode MOSFET(最小漏源擊穿電壓200V，夾斷電流0.12A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管)
中文描述： N溝道增強(qiáng)型MOSFET（最小漏源擊穿電壓為200V，夾斷電流0.12A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET的晶體管）
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 43K
代理商： TN2010T
TN2010T
2
Siliconix
S-52426—Rev. C, 14-Apr-97
Specifications
a
Limits
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
b
Max
Unit
Static
Drain-SourceBreakdown Voltage
V
(BR)DSS
V
GS
= 0 V, I
D
= 100 A
200
220
V
Gate-Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
= 0.25 mA
0.8
1.6
3.0
Gate-Body Leakage
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
=
20 V
100
nA
Zero Gate Voltage Drain Current
I
DSS
V
DS
= 160 V, V
GS
= 0 V
1
A
T
J
= –55 C
10
On-State Drain Current
c
I
D(on)
V
DS
= 10 V, V
GS
= 10 V
0.3
mA
Drain Source On Resistance
Drain-Source On-Resistance
c
r
DS(on)
V
GS
= 10 V, I
D
= 0.1 A
9.5
11
V
GS
= 4.5 V, I
D
= 0.05 mA
10
15
Forward Transconductance
c
g
fs
V
DS
= 10 V, I
D
= 0.1 A
300
mS
Diode Forward Voltage
V
SD
I
S
= 0.085 A, V
GS
= 0 V
0.8
V
Dynamic
Total Gate Charge
Q
g
1750
Gate-Source Charge
Q
gs
V
DS
= 100 V, V
GS
= 10 V, I
D
0.1 A
275
pC
Gate-Drain Charge
Q
gd
300
Input Capacitance
C
iss
35
Output Capacitance
C
oss
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V, f = 1 MHz
6
pF
Reverse Transfer Capacitance
C
rss
2
Switching
d
Turn On Time
Turn-On Time
t
d(on)
4
t
r
0 1
0.1
16
ns
Turn-Off Time
t
d(off)
16
t
f
45
Notes
a.
b.
c.
d.
T
A
= 25 C unless otherwise noted.
For DESIGN AID ONLY, not subject to production testing.
Pulse test: PW
300 s duty cycle
Switching time is essentially independent of operating temperature.
2%.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TN2010T N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor
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TN2404K N-Channel 240 -V (D-S) MOSFET
TN2404K-T1 N-Channel 240 -V (D-S) MOSFET
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參數(shù)描述
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