參數(shù)資料
型號： TN0604
廠商： ELAN Microelctronics Corp .
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Quad Array(擊穿電壓40V，低門限1.6V，N溝道增強型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管四陣列)
中文描述： N溝道增強型場效應(yīng)管立式DMOS的四陣列（40V的擊穿電壓，1.6V的低門限，?溝道增強型垂直的DMOS結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管四陣列）
文件頁數(shù)： 4/4頁
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代理商： TN0604
9-17
9
Gate Drive Dynamic Characteristics
10
8
6
4
2
0
1.0
2.0
3.0
5.0
4.0
130pf
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-50
0
50
100
150
1.4
0.8
1.2
0.6
1.0
On-Resistance vs. Drain Current
2.0
0
10.0
1.1
1.0
0.9
-50
0
50
100
150
Transfer Characteristics
10
4
0
2
4
6
10
8
2
6
8
V
DS
= 25V
T
A
=-55
°
C
T
A
=125
°
C
Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
200
150
100
50
0
10
20
30
40
C
f = 1MHz
170 pF
5.0
1.0
T
A
=25
°
C
0
0
0
0
R
D
B
D
T
j
(
°
C)
I
D
(amperes)
BV
DSS
Variation with Temperature
V
GS
= 5V
V
GS
= 10V
T
j
(
°
C)
V
G
(
V
(th)
and R
DS
Variation with Temperature
V
GS
(volts)
I
D
R
D
(
V
(th)
@ 1mA
R
DS(ON)
@ 10V, 1.5A
Q
G
(nanocoulombs)
V
G
V
DS
(volts)
C
ISS
C
OSS
C
RSS
V
DS
=
40V
V
DS
= 10V
Typical Performance Curves
TN0604
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TN0610 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓100V，低門限2.0V，N溝道增強型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管)
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TN0606 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TN0606N3 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TN0606N5 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TN0604_07 制造商:SUPERTEX 制造商全稱:SUPERTEX 功能描述:N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
TN0604N3 功能描述:MOSFET 40V 0.75Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TN0604N3-G 功能描述:MOSFET 40V 0.75Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TN0604N3-G P002 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
TN0604N3-G P003 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
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