參數(shù)資料
型號(hào)： TN0601L
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistors(最小漏源擊穿電壓60V，夾斷電流0.47A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管)
中文描述： N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管（最小漏源擊穿電壓60V的，夾斷電流0.47A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET的晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 95K
代理商： TN0601L
TN0601L, VN0606L, VN66AFD
Vishay Siliconix
www.siliconix.com FaxBack 408-970-5600
11-4
Document Number: 70201
S-00591—Rev. D, 03-Apr-00
Threshold Region
Capacitance
Normalized Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient (TO-226AA)
Gate Charge
Load Condition Effects on Switching
N
T
t
1
– Square Wave Pulse Duration (sec)
I
D
– Drain Current (A)
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
Q
g
– Total Gate Charge (pC)
–
I
C
–
V
t
10
1
0.01
0.5
0.1
1.0
1.5
2.0
VDS= 5 V
–55 C
125 C
T
J
= 150 C
Coss
120
100
80
0
0
10
50
60
40
20
30
40
20
Crss
VGS= 0 V
f = 1 MHz
10 K
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
1
0.01
0.1
0.1
5 K
1
100
500
10
0.5
5
50
1 K
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 156 C/W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
t
1
t
2
t
1
Notes:
P
DM
t
2
15.0
12.5
10.0
0
0
100
600
7.5
5.0
200
300
400
2.5
500
ID= 1.0 A
30 V
48 V
0.1
1
10
100
10
1
50
20
5
2
V
DD
= 25 V
R
G
= 25
V
GS
= 0 to 10 V
t
d(off)
t
r
t
d(on)
t
f
25 C
Ciss
Single Pulse
0.01
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TN0604 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Quad Array(擊穿電壓40V，低門限1.6V，N溝道增強(qiáng)型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)管四陣列)
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TN0606 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TN0606N3 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
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