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參數資料
| 型號： | TN0401L |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | N-Channel 20-, 30-, 40-V (D-S) MOSFETs |
| 中文描述： | N溝道20 - ，30 - ，40 - V（下局副局長）的MOSFET |
| 文件頁數： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 46K |
| 代理商： | TN0401L |
TN0201L/0401L, VN0300L/LS
Vishay Siliconix
www.vishay.com
11-4
Document Number: 70199
S-04279
—
Rev. E, 16-Jul-01
0.1
1
10
100
10
1
V
DD
= 25 V
R
G
= 25
V
GS
= 0 to 10 V
t
d(on)
Threshold Region
Capacitance
Normalized Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient (TO-226AA)
Gate Charge
Load Condition Effects on Switching
N
T
t
1
–
Square Wave Pulse Duration (sec)
I
D
–
Drain Current (A)
V
DS
–
Drain-to-Source Voltage (V)
V
GS
–
Gate-to-Source Voltage (V)
Q
g
–
Total Gate Charge (pC)
t
d(off)
t
r
t
f
10
1
0.6
0.8
2.0
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
V
DS
= 10 V
–
55 C
0.1
0.01
T
J
= 150 C
120
100
80
0
0
10
50
60
40
20
30
40
20
C
iss
Coss
C
rss
10 K
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
1
0.01
0.1
0.01
0.1
5 K
1
100
500
10
0.5
5
50
1 K
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 156 C/W
3. T
JM
–
T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
t
1
t
2
t
1
Notes:
P
DM
t
2
6
5
4
0
0
80
400
3
2
160
240
320
1
I
D
= 1 A
V
DS
= 15 V
24 V
100 C
25 C
I
D
–
C
–
V
G
–
t
–
V
= 0 V
f = MHz
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PDF描述 |
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