參數(shù)資料
型號： TN0205A
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 20-V MOSFET(漏源電壓20V的N溝道增強型MOSFET)
中文描述： N溝道20 - V MOSFET的（漏源電壓20V的的N溝道增強型MOSFET的）
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 54K
代理商： TN0205A
TN0205A/AD
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 70868
06-May-99
www.siliconix.com FaxBack 408-970-5600
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25 C
T
C
= –55 C
C
rss
C
oss
V
DS
= 6 V
I
D
= 100 mA
V
GS
= 4.5 V
I
D
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 2.5 V
2 V
125 C
2.5 V
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
–
I
D
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
D
–
Q
g
– Total Gate Charge (pC)
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
–
r
D
)
I
D
– Drain Current (A)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
– Junction Temperature ( C)
(
–
r
D
)
3 V
V
GS
= 3.5 thru 5 V
1.5 V
1 V
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C
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
TN0601L N-Channel 60-V (D-S) MOSFETs
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TN0610 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓100V，低門限2.0V，N溝道增強型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管)
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參數(shù)描述
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