參數(shù)資料
型號(hào): TN0201KL
廠商: Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述: N-Channel 20−V (D−S) MOSFET
文件頁數(shù): 5/5頁
文件大小: 76K
代理商: TN0201KL
TN0201K/TN0201KL
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72671
S-40245—Rev. A, 16-Feb-04
www.vishay.com
5
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
10
3
10
2
1
10
600
10
1
10
4
100
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient (TO-226AA, TN0201KL Only)
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TN0201K N-Channel 20-V MOSFET
TN0201K-T1-E3 N-Channel 20−V (D−S) MOSFET
TN0201L N-Channel 20-, 30-, 40-V (D-S) MOSFETs
TN0401L N-Channel 20-, 30-, 40-V (D-S) MOSFETs
TN0201L N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistors(最小漏源擊穿電壓20V,夾斷電流0.64A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TN0201KL-TR1 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20−V (D−S) MOSFET
TN0201KL-TR1-E3 功能描述:MOSFET 20V 0.64A 0.35W 1.4ohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TN0201K-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 0.42A 1.0Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TN0201L 功能描述:MOSFET 20V 0.64A 0.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TN0201T 功能描述:MOSFET 20V 0.39A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube