參數(shù)資料
型號： TN0201KL-TR1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 20−V (D−S) MOSFET
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 76K
代理商： TN0201KL-TR1
TN0201K/TN0201KL
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
4
Document Number: 72671
S-40245—Rev. A, 16-Feb-04
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
10
3
10
2
1
10
600
10
1
10
4
100
0.6
0.4
0.2
0.0
0.2
0.4
50
25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
Temperature ( C)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient (TO-236, TN0201K Only)
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
Safe Operating Area (TO-236, TN0201K Only)
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
10
0.1
0.1
1
10
100
0.001
1
1 ms
I
D
0.01
T
= 25 C
Single Pulse
10 ms
100 ms
1 s
10 s
dc
Safe Operating Area (TO-226AA, TN0201KL Only)
I
Limited
r
DS(on)
Limited
BV
DSS
Limited
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
10
0.1
0.1
1
10
100
0.001
1
1 ms
I
D
0.01
T
= 25 C
Single Pulse
10 ms
100 ms
10 s
dc
1 s
I
Limited
I
Limited
r
DS(on)
Limited
I
Limited
BV
DSS
Limited
相關PDF資料
PDF描述
TN0201KL N-Channel 20−V (D−S) MOSFET
TN0201K N-Channel 20-V MOSFET
TN0201K-T1-E3 N-Channel 20−V (D−S) MOSFET
TN0201L N-Channel 20-, 30-, 40-V (D-S) MOSFETs
TN0401L N-Channel 20-, 30-, 40-V (D-S) MOSFETs
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TN0201KL-TR1-E3 功能描述:MOSFET 20V 0.64A 0.35W 1.4ohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TN0201K-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 0.42A 1.0Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TN0201L 功能描述:MOSFET 20V 0.64A 0.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TN0201T 功能描述:MOSFET 20V 0.39A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TN0201T 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N SOT-23
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