參數(shù)資料
型號(hào)： TN0200TS
廠(chǎng)商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode MOSFET(N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
中文描述： N溝道增強(qiáng)型MOSFET（不適用溝道增強(qiáng)型MOSFET的）
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 52K
代理商： TN0200TS
TN0200T/TS
Siliconix
S-52426—Rev. B, 14-Apr-97
3
Typical Characteristics (25 C Unless Otherwise Noted)
On-Resistance vs. Drain Current
Output Characteristics
Transfer Characteristics
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
–
I
D
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
D
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
0
1
2
3
4
0
1
2
3
4
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
T
C
= –55 C
125 C
0, 0.5, 1 V
2.5 V
V
GS
= 5, 4.5, 4 V
1.5 V
2 V
0
50
100
150
200
250
0
4
8
12
16
20
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
1.7
–50
0
50
100
150
0
1
2
3
4
5
0
300
600
900
1200
1500
1800
2100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
1
2
3
4
5
6
7
Gate Charge
–
Q
g
– Total Gate Charge (nC)
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 10 V
I
D
= 0.6 A
–
r
D
)
I
D
– Drain Current (A)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 0.6 A
T
J
– Junction Temperature ( C)
(
–
r
D
)
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
3.5 V
3 V
25 C
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PDF描述
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TN020100131X 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:
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