參數(shù)資料
型號(hào)： TN0200T
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 20-V (D-S) MOSFETs
中文描述： N溝道20 - V（下局副局長）的MOSFET
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 66K
代理商： TN0200T
TN0200T/TS
Vishay Siliconix
www.vishay.com
4
Document Number: 70202
S-40277—Rev. F, 23-Feb-04
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0.1
0.2
50
0
50
100
150
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
0
1
2
3
4
5
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Threshold Voltage
Single Pulse Power
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
2
1
0.1
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
N
T
30
V
SD
Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
Gate-to-Source Voltage (V)
T
J
Junction Temperature ( C)
Time (sec)
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
I
D
= 0.6 A
I
D
= 50 A
10
1
0.1
0.01
0.001
0.01
0.1
1.0
10.0
10
T
= 25 C
Single Pulse
10
8
6
4
2
0
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
I
S
r
D
V
G
P
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TN0200TS N-Channel 20-V (D-S) MOSFETs
TN0200T N-Channel Enhancement-Mode MOSFET(N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
TN0200TS N-Channel Enhancement-Mode MOSFET(N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
TN0201KL-TR1 N-Channel 20−V (D−S) MOSFET
TN0201KL N-Channel 20−V (D−S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TN0200TS 功能描述:MOSFET 20V 1.2A 1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TN0200TS-T1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin TO-236 T/R
TN0200T-T1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 0.73A 3-Pin TO-236 T/R
TN02-010-0130-2 功能描述:重負(fù)荷電源連接器 FEMALE CONTACT RoHS:否 制造商:Hirose Connector 系列:PS2 產(chǎn)品類型:Connectors 位置/觸點(diǎn)數(shù)量: 端接類型:Crimp 觸點(diǎn)材料: 觸點(diǎn)電鍍:Gold 電壓額定值: 電流額定值:300 A 附件類型:
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