參數(shù)資料
型號(hào)： TMS664814DGE-8A
英文描述： SDRAM|4X2MX8|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC
中文描述： 內(nèi)存| 4X2MX8 |的CMOS |的TSOP | 54PIN |塑料
文件頁(yè)數(shù)： 27/56頁(yè)
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代理商： TMS664814DGE-8A
TMS664414, TMS664814, TMS664164
4 194 304 BY 4-BIT/2 097 152 BY 8-BIT/1 048 576 BY 16-BIT BY 4-BANK
SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES
SMOS695A – APRIL 1998 – REVISED JULY 1998
27
POST OFFICE BOX 1443
HOUSTON, TEXAS 77251–1443
PARAMETER MEASUREMENT INFORMATION
nHZP3
CLK
DQ
(For CL = 3)
DEAC/DCAB
Command
tHZ
nHZP2
Final Output of
Burst
DQ
(For CL = 2)
Final Output of
Burst
NOTE A: For this example, assume CAS latency = 2, 3 and burst length > 1.
Figure 13. Final Data Output to DEAC or DCAB Command for CAS Latency = 2, 3
CAS Latency = 2
(see Note A)
CLK
DQ
D
Q
Ignored
DQMx
ENBL Command
WRT Command
READ Command
DEAC/DCAB
Command
tIS
tIH
nWR
nDOD
(for ENBL)
nDOD
(for MASK)
MASK
Command
MASK
Command
NOTE A: For this example, assume CAS latency = 2 and burst length = 2.
Figure 14. DQ Masking
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