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參數(shù)資料
| 型號： | TMS664814DGE-10 |
| 英文描述： | SDRAM|4X2MX8|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC |
| 中文描述： | 內(nèi)存| 4X2MX8 |的CMOS |的TSOP | 54PIN |塑料 |
| 文件頁數(shù)： | 51/56頁 |
| 文件大小： | 958K |
| 代理商： | TMS664814DGE-10 |
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TMS664414, TMS664814, TMS664164
4 194 304 BY 4-BIT/2 097 152 BY 8-BIT/1 048 576 BY 16-BIT BY 4-BANK
SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES
SMOS695A– APRIL 1998 – REVISED JULY 1998
51
POST OFFICE BOX 1443
HOUSTON, TEXAS 77251–1443
PARAMETER MEASUREMENT INFORMATION
C0
R0
R0
R0
READ-P_0
ACTV_0
n+7
n+6
n+5
n+4
n+3
n+2
n+1
n
CKE
CS
A0–A9
A10
A11
A12
A13
W
CAS
RAS
DQMx
DQ
CLK
tRCD
BURST
TYPE
BANK
ROW
BURST CYCLE
(D/Q)
(0–3)
ADDR
n
n+1
n+2
n+3
n+4
n+5
n+6
n+7
Q
0
R0
C0
C0+1
C0+2
C0+3
C0+4
C0+5
C0+6
C0+7
Column-address sequence depends on programmed burst type and starting addresses C0 and C1 (see Table 6).
NOTE A: This example illustrates minimum tRCD for the ’664xx4 at 125 MHz.
Figure 41. Read Bursts With Automatic Deactivate (read latency = 3, burst length = 8) (for x16)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TMS664814DGE-8 | SDRAM|4X2MX8|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC |
| TMS664814DGE-8A | SDRAM|4X2MX8|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC |
| TMS6708-20DJ | x4 SRAM |
| TMS6708-25DJ | x4 SRAM |
| TMS6708-25N | x4 SRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TMS664814DGE-8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM|4X2MX8|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC |
| TMS664814DGE-8A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM|4X2MX8|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC |
| TMS6708-20DJ | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 SRAM |
| TMS6708-25DJ | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 SRAM |
| TMS6708-25N | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 SRAM |
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