- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網 > PDF目錄382645 > TMS664814DGE-10 SDRAM|4X2MX8|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC PDF資料下載
參數資料
| 型號： | TMS664814DGE-10 |
| 英文描述： | SDRAM|4X2MX8|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC |
| 中文描述： | 內存| 4X2MX8 |的CMOS |的TSOP | 54PIN |塑料 |
| 文件頁數： | 17/56頁 |
| 文件大?。?/td> | 958K |
| 代理商： | TMS664814DGE-10 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁當前第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁
TMS664414, TMS664814, TMS664164
4 194 304 BY 4-BIT/2 097 152 BY 8-BIT/1 048 576 BY 16-BIT BY 4-BANK
SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES
SMOS695A – APRIL 1998 – REVISED JULY 1998
17
POST OFFICE BOX 1443
HOUSTON, TEXAS 77251–1443
interrupted bursts (continued)
CLK
DQ
READ
Command
(see Note A)
D
Q
Q
nCCD = 1
a) INTERRUPTED ON EVEN CYCLES
b) INTERRUPTED ON ODD CYCLES
CLK
DQ
READ Command
(see Note A)
D
D
Q
Q
nCCD = 2
WRT Command
(see Note A)
WRT
Command
(see Note A)
Q
NOTE A: For this example, assume CAS latency = 2, burst length > 2.
Figure 6. Write Burst Interrupted by Read Command
DQ
CLK
C1 + 3
C1 + 2
C1 + 1
C1
C0 + 1
C0
nCCD = 2
WRT Command
at Column Address C0
(see Note A)
Interrupting
WRT-P Command
NOTE A: For this example, burst length > 2.
Figure 7. Write Burst Interrupted by Write Command
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TMS664814DGE-8 | SDRAM|4X2MX8|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC |
| TMS664814DGE-8A | SDRAM|4X2MX8|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC |
| TMS6708-20DJ | x4 SRAM |
| TMS6708-25DJ | x4 SRAM |
| TMS6708-25N | x4 SRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| TMS664814DGE-8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM|4X2MX8|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC |
| TMS664814DGE-8A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM|4X2MX8|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC |
| TMS6708-20DJ | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 SRAM |
| TMS6708-25DJ | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 SRAM |
| TMS6708-25N | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 SRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。