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參數(shù)資料
| 型號： | TMS664414DGE-8 |
| 英文描述： | SDRAM|4X4MX4|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC |
| 中文描述： | 內(nèi)存| 4X4MX4 |的CMOS |的TSOP | 54PIN |塑料 |
| 文件頁數(shù)： | 44/56頁 |
| 文件大?。?/td> | 958K |
| 代理商： | TMS664414DGE-8 |
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T
4
S
S
T
4
P
BURST
TYPE
BANK
ROW
BURST CYCLE
(D/Q)
(0–3)
ADDR
a
b
c
d
e
f
g
h
Q
3
R0
C0
C0+1
C0+2
C0+3
C0+4
C0+5
C0+6
C0+7
Column-address sequence depends on programmed burst type and starting address C0 (see Table 6).
NOTE A: This example illustrates minimum tRC, tRCD, and tRP for the ’664xx4 at 100 MHz.
Figure 34. Refresh Cycles (Refreshes Followed by Read Burst, Followed by Refresh)
(CAS latency = 2, burst length = 8)
P
CKE
CS
A0–A9
A10
A11
A12
A13
W
CAS
RAS
DQMx
DQ
CLK
C0
R0
R0
R0
h
g
f
e
d
c
b
a
REFR
DEAC_3
READ_3
ACTV_3
REFR
REFR
tRC
tRC
tRCD
tRP
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TMS664414DGE-8A | SDRAM|4X4MX4|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC |
| TMS664814DGE-10 | SDRAM|4X2MX8|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC |
| TMS664814DGE-8 | SDRAM|4X2MX8|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC |
| TMS664814DGE-8A | SDRAM|4X2MX8|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC |
| TMS6708-20DJ | x4 SRAM |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| TMS664814 | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:4 194 304 BY 4-BIT/2 097 152 BY 8-BIT/1 048 576 BY 16-BIT BY 4-BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
| TMS66481410 | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:4 194 304 BY 4-BIT/2 097 152 BY 8-BIT/1 048 576 BY 16-BIT BY 4-BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
| TMS6648148 | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:4 194 304 BY 4-BIT/2 097 152 BY 8-BIT/1 048 576 BY 16-BIT BY 4-BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
| TMS6648148A | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:4 194 304 BY 4-BIT/2 097 152 BY 8-BIT/1 048 576 BY 16-BIT BY 4-BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
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