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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TMS28F010A-15C4DDE4 |
| 廠商： | Texas Instruments, Inc. |
| 英文描述： | GT 2C 2#8 SKT RECP WALL RM |
| 中文描述： | 1048576位閃存電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器 |
| 文件頁數(shù)： | 21/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 328K |
| 代理商： | TMS28F010A-15C4DDE4 |
TMS28F010A
1048576-BIT FLASH
ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY
SMJS012 – DECEMBER 1992 – REVISED NOVEMBER 1993
21
POST OFFICE BOX 655303
DALLAS, TEXAS 75265
POST OFFICE BOX 1443
HOUSTON, TEXAS 77251–1443
PARAMETER MEASUREMENT INFORMATION
Power Up
and
Standby
Set-Up-
Erase
Command
Erase
Command
Erasing
Erase-
Verify
Command
Erase
Verification
Standby/
Power Down
A0–A16
E
G
W
DQ0–DQ7
5 V
VCC
0 V
VPPH
VPP
VPPL
tc(W)
tsu(A)
tdis(G)
th(D)
th(WHD)
tw(W)
tsu(D)
td(E)
ta(E)
tsu(VPPEL)
th(WHD)
Data In = 20h
Data In = 20h
Data In = A0h
Valid Data Out
th(A)
tsu(E)
tr(VPP)
tsu(EHVPP)
tf(VPP)
tdis(E)
HI-Z
td(G)
ten(G)
tw(W)
tsu(D)
th(WHD)
tw(W)
tsu(D)
th(E)
tc(W)
tc(R)
th(E)
th(E)
tw(WH)
tc(E)B
trec(W)
tc(W)
tsu(E)
tsu(E)
trec(R)
Figure 8. Flash-Erase Cycle Timing
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TMS28F010A-15C4DDL4 | 1048576-BIT FLASH ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY |
| TMS28F010A-15C4DDQ4 | 1048576-BIT FLASH ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY |
| TMS28F010A-15C4FME4 | 1048576-BIT FLASH ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY |
| TMS28F010A-15C4FML4 | 1048576-BIT FLASH ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY |
| TMS28F010A-15C4NL4 | 1048576-BIT FLASH ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TMS28F010A-15C4DDL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| TMS28F010A-15C4DDL4 | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:1048576-BIT FLASH ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY |
| TMS28F010A-15C4DDQ | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| TMS28F010A-15C4DDQ4 | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:1048576-BIT FLASH ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY |
| TMS28F010A-15C4DUE | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
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