參數(shù)資料
型號： TLV2324Y
廠商： Texas Instruments, Inc.
英文描述： Inductive DC
中文描述： LinCMOSE低壓低功耗運算放大器
文件頁數(shù)： 3/33頁
文件大小： 502K
代理商： TLV2324Y
TLV2322, TLV2322Y, TLV2324, TLV2324Y
LinCMOS
LOW-VOLTAGE LOW-POWER
OPERATIONAL AMPLIFIERS
SLOS187 – FEBRUARY 1997
3
POST OFFICE BOX 655303
DALLAS, TEXAS 75265
TLV2324Y chip information
This chip, when properly assembled, display characteristics similar to the TLV2324. Thermal compression or
ultrasonic bonding may be used on the doped-aluminum bonding pads. Chips may be mounted with conductive
epoxy or a gold-silicon preform.
BONDING PAD ASSIGNMENTS
+
–
1OUT
1IN+
1IN–
VDD
(4)
(6)
(3)
(2)
(5)
(1)
2IN+
2IN–
2OUT
(11)
VDD–/GND
+
–
3OUT
3IN+
3IN–
(13)
(10)
(9)
(12)
(8)
–
+
(14)
4OUT
4IN+
4IN–
+
–
(7)
CHIP THICKNESS: 15 MILS TYPICAL
BONDING PADS: 4
×
4 MILS MINIMUM
TJmax = 150
°
C
TOLERANCES ARE
±
10%.
ALL DIMENSIONS ARE IN MILS.
PIN (12) IS INTERNALLY CONNECTED
TO BACKSIDE OF CHIP.
68
108
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
(9)
(10)
(11)
(12)
(13)
(14)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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