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參數(shù)資料
| 型號： | TISPPBL3D |
| 廠商： | BOURNS INC |
| 元件分類： | 保護電路 |
| 英文描述： | DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS FOR ERICSSON MICROELECTRONICS SUBSCRIBER LINE INTERFACE CIRCUITS (SLIC) |
| 中文描述： | TELECOM, SURGE PROTECTION CIRCUIT, PDSO8 |
| 封裝： | PLASTIC, MS-012, SO-8 |
| 文件頁數(shù)： | 14/14頁 |
| 文件大小： | 356K |
| 代理商： | TISPPBL3D |
OCTOBER 2000 - REVISED FEBRUARY 2005
Specifications are subject to change without notice.
Customers should verify actual device performance in their specific applications.
MECHANICAL DATA
TISPPBL3 Programmable Protector
D008 Tape DImensions
0.8
(0.03)
3.90 - 4.10
(.154 - .161)
5.40 - 5.60
(.213 - .220)
1.95 - 2.05
(.077 - .081)
7.90 - 8.10
(.311 - .319)
6.30 - 6.50
(.248 - .256)
11.70 - 12.30
(.461 - .484)
D008 Package (8-pin Small Outline) Single-Sprocket Tape
Direction of Feed
(.059)
Carrier Tape
Embossment
Cover
Tape
NOTES: A. Taped devices are supplied on a reel of the following dimensions:-
Reel diameter:
Reel hub diameter:
Reel axial hole:
B. 2500 devices are on a reel.
MDXXATB
DIMENSIONS ARE:M(INCHES)
330 +0.0/-4.0
(12.992 +0.0/-.157)
100
±
2.0
(3.937
±
.079)
13.0
±
0.2
(.512
±
.008)
0 MIN.
MIN.
0.40
(0.016)
2.0 - 2.2
(.079 - .087)
1.50 - 1.60
(.059 - .063)
“TISP” is a trademark of Bourns, Ltd., a Bourns Company, and is Registered in U.S. Patent and Trademark Office.
“Bourns” is a registered trademark of Bourns, Inc. in the U.S. and other countries.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TISPPBL3DR | DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS FOR ERICSSON MICROELECTRONICS SUBSCRIBER LINE INTERFACE CIRCUITS (SLIC) |
| TISPPBL3DR-S | DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS FOR ERICSSON MICROELECTRONICS SUBSCRIBER LINE INTERFACE CIRCUITS (SLIC) |
| TISPPBL3D-S | DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS FOR ERICSSON MICROELECTRONICS SUBSCRIBER LINE INTERFACE CIRCUITS (SLIC) |
| TITAN19244 | Semiconductor Solutions for High Speed Communications and Fiber Optic Applications |
| TL054AIN | ENHANCED-JFET LOW-OFFSET OPERATIONAL AMPLIFIERS |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TISPPBL3DR | 功能描述:SCR SURGE SUP 8-SOP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| TISPPBL3DR-S | 功能描述:SCR SURGE SUP 8-SOP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| TISPPBL3D-S | 功能描述:SCR SURGE SUP 8-SOP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| TISPPBL3-S | 功能描述:SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| TISPPBL3SE | 功能描述:SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
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