參數(shù)資料
型號(hào)： TISPPBL3
廠商： Bourns Inc.
英文描述： DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS FOR ERICSSON MICROELECTRONICS SUBSCRIBER LINE INTERFACE CIRCUITS (SLIC)
中文描述： 雙遠(yuǎn)期導(dǎo)電的P -門(mén)晶閘管愛(ài)立信微電子用戶線接口電路電路（SLIC）
文件頁(yè)數(shù)： 4/14頁(yè)
文件大小： 356K
代理商： TISPPBL3
OCTOBER 2000 - REVISED FEBRUARY 2005
Specifications are subject to change without notice.
Customers should verify actual device performance in their specific applications.
Parameter Measurement Information
TISPPBL3 Programmable Protector
Figure 1. Principal Terminal And Gate Transfer Characteristics
PM6XAIB
-v
I
S
V
S
V
GG
(Circuit V
B
)
V
D
I
H
I
T
V
T
I
TSM
I
TSP
V
(BO)
I
(BO)
I
D
Quadrant I
Forward
Conduction
Characteristic
+v
+i
I
F
V
F
I
FSM
(= |I
TSM
|)
I
FSP
(= |I
TSP
|)
-i
Quadrant III
Switching
Characteristic
V
GK(BO)
PRINCIPAL TERMINAL V-I CHARACTERISTIC
I
GT
I
GAT
I
GAF
I
F
+i
K
-i
K
I
T
-i
G
+i
G
GATE TRANSFER
CHARACTERISTIC
I
K
I
G
PROTECTOR MAXIMUM LIMITING VOLTAGE
vs
TIME
0
5
10
1
μ
s
V
GG
= V
B
10 ms
1
μ
s
V
Time
PM6XALC
MAX V
FRM
= 8 V
MAX V
(BO)
= V
GG
-20 V
V
GG
-20
V
GG
-10
V
GG
-3
V
GG
Figure 2. Transient Limits For TISPPBL3 2/10 Impulse Limiting Voltage
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TISPPBL3D DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS FOR ERICSSON MICROELECTRONICS SUBSCRIBER LINE INTERFACE CIRCUITS (SLIC)
TISPPBL3DR DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS FOR ERICSSON MICROELECTRONICS SUBSCRIBER LINE INTERFACE CIRCUITS (SLIC)
TISPPBL3DR-S DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS FOR ERICSSON MICROELECTRONICS SUBSCRIBER LINE INTERFACE CIRCUITS (SLIC)
TISPPBL3D-S DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS FOR ERICSSON MICROELECTRONICS SUBSCRIBER LINE INTERFACE CIRCUITS (SLIC)
TITAN19244 Semiconductor Solutions for High Speed Communications and Fiber Optic Applications
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TISPPBL3D 功能描述:SCR SURGE SUP 8-SOP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
TISPPBL3DR 功能描述:SCR SURGE SUP 8-SOP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
TISPPBL3DR-S 功能描述:SCR SURGE SUP 8-SOP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
TISPPBL3D-S 功能描述:SCR SURGE SUP 8-SOP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
TISPPBL3-S 功能描述:SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
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