參數(shù)資料
型號: TISPPBL2SD
廠商: Power Innovations International, Inc.
英文描述: PROGRAMMABLE OVERVOLTAGE PROTECTORS FOR ERICSSON COMPONENTS PBL 3xxx SLICS
中文描述: 愛立信元件博亞可編程過電壓保護(hù)3xxx系列SLIC組件
文件頁數(shù): 7/15頁
文件大?。?/td> 293K
代理商: TISPPBL2SD
7
AUGUST 1999
TISPPBL2SD
PROGRAMMABLE OVERVOLTAGE PROTECTORS
FOR ERICSSON COMPONENTS PBL 3xxx SLICS
P R O D U C T I N F O R M A T I O N
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 7.
Figure 8.
Figure 9.
Figure 10.
DISTRIBUTION LIMITS OF
THYRISTOR LIMITING VOLTAGE
vs
TIME
Time - μs
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
K
-70
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
AI6XAW
50 devices tested from 10 wafer lots
0.5/700 Waveform
I
T
= -20 A
T
A
= 25°C
V
GG
= -50 V
DISTRIBUTION LIMITS OF
DIODE FORWARD VOLTAGE
vs
TIME
Time - μs
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
F
0
1
2
3
4
5
6
AI6XAX
50 devices tested from 10 wafer lots
0.5/700 Waveform
I
F
= 20 A
T
A
= 25°C
V
GG
= -50 V
CUMULATIVE POPULATION %
vs
PEAK LIMITING VOLTAGE
Peak Limiting Voltage - V
4
5
6
7
8
9
15
10
C
0·001
0·01
0·1
1
10
30
50
70
90
99
99·9
99·99
99·999
TC6XAB
50 devices tested from 10 wafer lots
I
F
= 20 A, I
T
= -20 A, 0.5/700 Waveform
T
A
= 25°C, V
GG
= -50 V
THYRISTOR
V
GG
- V
(BO)
DIODE
V
FRM
TC61AD
DIODE FORWARD CURRENT
vs
FORWARD VOLTAGE
V
F
- Forward Voltage - V
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
I
F
0.02
0.04
0.07
0.2
0.4
0.7
0.01
0.1
1
-40°C
25°C
85°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TISPPBL2SDR PROGRAMMABLE OVERVOLTAGE PROTECTORS FOR ERICSSON COMPONENTS PBL 3xxx SLICS
TK10415 CERAMIC SPEAKER DRIVE AMPLIFIER
TK10415M CERAMIC SPEAKER DRIVE AMPLIFIER
TK10415MTL CERAMIC SPEAKER DRIVE AMPLIFIER
TK10415TL CERAMIC SPEAKER DRIVE AMPLIFIER
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參數(shù)描述
TISPPBL2SDR 功能描述:SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
TISPPBL2SDR-S 功能描述:SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
TISPPBL2SE 功能描述:SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
TISPPBL2SE-S 功能描述:SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
TISPPBL3 功能描述:SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube