參數(shù)資料
型號(hào)： TISP4400H3
廠商： Bourns Inc.
英文描述： BIDIRECTIONAL THYRISTOR OVERVOLTAGE PROTECTORS
中文描述： 雙向可控硅過(guò)電壓保護(hù)器
文件頁(yè)數(shù)： 4/15頁(yè)
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代理商： TISP4400H3
NOVEMBER 1997 - REVISED FEBRUARY 2005
Specifications are subject to change without notice.
Customers should verify actual device performance in their specific applications.
Electrical Characteristics, TA = 25
°
C (Unless Otherwise Noted)
Parameter
Repetitive peak off-
state current
TISP4xxxH3BJ Overvoltage Protector Series
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
±
5
±
10
±
70
±
80
±
95
±
115
±
125
±
145
±
165
±
180
±
200
±
220
±
240
±
250
±
265
±
290
±
300
±
350
±
395
±
400
±
78
±
88
±
103
±
124
±
134
±
154
±
174
±
189
±
210
±
230
±
250
±
261
±
276
±
301
±
311
±
362
±
408
±
413
±
0.6
±
3
±
0.6
Unit
I
DRM
V
D
= V
DRM
T
A
= 25
°
C
T
A
= 85
°
C
‘4070
‘4080
‘4095
‘4115
‘4125
‘4145
‘4165
‘4180
‘4200
‘4220
‘4240
‘4250
‘4265
‘4290
‘4300
‘4350
‘4395
‘4400
‘4070
‘4080
‘4095
‘4115
‘4125
‘4145
‘4165
‘4180
‘4200
‘4220
‘4240
‘4250
‘4265
‘4290
‘4300
‘4350
‘4395
‘4400
μ
A
V
(BO)
Breakover voltage
dv/dt =
±
750 V/ms,
R
SOURCE
= 300
V
V
(BO)
Impulse breakover
voltage
dv/dt
≤
±
1000 V/
μ
s, Linear voltage ramp,
Maximum ramp value =
±
500 V
di/dt =
±
20 A/
μ
s, Linear current ramp,
Maximum ramp value =
±
10 A
V
I
(BO)
V
T
I
H
Breakover current
On-state voltage
Holding current
Critical rate of rise of
off-state voltage
Off-state current
dv/dt =
±
750 V/ms,
I
T
=
±
5 A, t
W
= 100
μ
s
I
T
=
±
5 A, di/dt = - /+30 mA/ms
R
SOURCE
= 300
±
0.15
A
V
A
±
0.15
dv/dt
Linear voltage ramp, Maximum ramp value < 0.85V
DRM
±
5
kV/
μ
s
I
D
V
D
=
±
50 V
T
A
= 85
°
C
±
10
μ
A
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PDF描述
TISP4XXXH3BJ BIDIRECTIONAL THYRISTOR OVERVOLTAGE PROTECTORS
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TISP4400H3LM 功能描述:硅對(duì)稱(chēng)二端開(kāi)關(guān)元件 RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
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