參數(shù)資料
型號(hào)： TIP112F
廠商： KEC Holdings
英文描述： EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.)
中文描述： 外延平面NPN晶體管（單片施工技術(shù)基礎(chǔ)之上的發(fā)射極分流器工業(yè)用途。）
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 41K
代理商： TIP112F
2002. 6. 25
1/2
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
TIP112F
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
Revision No : 0
MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN
BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.
FEATURES
High DC Current Gain.
: hFE=1000(Min.),
VCE=4V, IC=1A.
Low Collector-Emitter Saturation Voltage.
Complementary to TIP117F.
MAXIMUM RATING (Ta=25
)
DIM
MILLIMETERS
1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
TO-220IS
10.30 MAX
15.30 MAX
2.70 0.30
0.85 MAX
Φ3.20 0.20
3.00 0.30
A
B
C
D
E
F
G
12.30 MAX
0.75 MAX
H
13.60 0.50
3.90 MAX
1.20
1.30
2.54
4.50 0.20
6.80
2.60 0.20
10
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
F
O
Q
1
2
3
L
P
N
B
G
J
M
D
N
T
H
E
R
T
V
S
K
L
U
T
S
0.5
5
25
2.60 0.15
V
U
D
A
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25
)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
RATING
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
100
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
100
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
5
V
Collector Current
DC
IC
2
A
Pulse
ICP
4
Base Current
DC
IB
50
mA
Collector Power
Dissipation
Ta=25
PC
2
W
Tc=25
20
Junction Temperature
Tj
150
Storage Temperature Range
Tstg
-65
150
CHARACTERISTIC
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Collector Cut-off Current
ICEO
VCE=50V, IB=0
-
2
mA
ICBO
VCB=100V, IE=0
-
1
Emitter Cut-off Current
IEBO
VEB=5V, IC=0
-
2
mA
DC Current Gain
hFE
VCE=4V, IC=1A
1000
-
VCE=4V, IC=2A
500
-
Collector-Emitter Sustaining Voltage
VCEO(SUS)
IC=30mA, IB=0
100
-
V
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=2A, IB=8mA
-
2.5
V
Base-Emitter On Voltage
VBE(ON)
VCE=4V, IC=2A
-
2.8
V
Collector Output Capacitance
Cob
VCB=10V, IE=0, f=0.1MHz
-
100
pF
C
B
E
R
10k
0.6k
R
1
2
=
EQUIVALENT CIRCUIT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TIP117F EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.)
TIP41CF EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE)
TKD12ZED-T 50 WATT, 3/4 BRICK
TL16PNP100APT SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PQFP48
TL431BU 1-OUTPUT THREE TERM VOLTAGE REFERENCE, PDSO3
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TIP112F_07 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
TIP112G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 2A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
TIP112G-T60-K 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
TIP112G-TA3-T 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
TIP112G-TN3-R 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
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