參數(shù)資料
型號： TIM7785-4UL
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： MICROWAVE POWER GaAs FET
中文描述： 微波功率GaAs場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 80K
代理商： TIM7785-4UL
2
TIM7785-4UL
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Ta= 25
°
C )
CHARACTERISTICS
SYMBOL
UNIT
RATING
Drain-Source Voltage
V
DS
V
15
Gate-Source Voltage
V
GS
V
-5
Drain Current
Total Power Dissipation (Tc= 25
°
C
)
Channel Temperature
I
DS
A
3.5
P
T
W
°
C
°
C
23
T
ch
175
Storage
T
stg
-65
～
+175
PACKAGE OUTLINE (2-11D1B)
Unit in mm
c
Gate
d
Source
e
Drain
HANDLING PRE CAUTIONS FOR PACK AGE D TYPE
Soldering iron should be grounded and the operating time should not exceed 10 seconds at
260
°
C.
3
±
0
0
+
-
0
1
±
0
2
±
0
5
4
4
1
±
0
4-C1.2
0.6
±
0.15
17
±
0.3
21
±
0.2
11.0 MAX.
c
d
d
12
e
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