參數(shù)資料
型號： TIM6472-8UL
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： MICROWAVE POWER GaAs FET
中文描述： 微波功率GaAs場效應管
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 56K
代理商： TIM6472-8UL
3
T IM6472-8UL
RF PERFORMANCE
Frequency (GHz)
Output Power vs. Frequency
V
DS
= 10V
I
DS
@
2.2A
Pin= 30.0dBm
f= 6.8GHz
V
DS
= 10V
I
DS
@
2.2A
Output Power vs. Input Power
相關PDF資料
PDF描述
TIM7785-12UL BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET
TIM7785-4UL MICROWAVE POWER GaAs FET
TIP100 NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor（Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistor）(NPN硅外延達林頓晶體管（內置基極-射極分流電阻單片結構）)
TIP101 NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor（Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistor）(NPN硅外延達林頓晶體管（內置基極-射極分流電阻單片結構）)
TIP102 NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor（Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistor）(NPN硅外延達林頓晶體管（內置基極-射極分流電阻單片結構）)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
TIM6472-8UL_09 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:HIGH POWER P1dB=39.5dBm at 6.4GHz to 7.2GHz
TIM684K035POX 制造商:Cornell Dubilier Electronics 功能描述: 制造商:Mallory Sonalert Products Inc 功能描述:
TIM684K050POX 制造商:Mallory Sonalert Products Inc 功能描述:
TIM685K010P0X 功能描述:鉭質電容器-固體鉛 6.8uF 10Volts RoHS:否 制造商:Kemet 電容:100 uF 電壓額定值:60 V ESR:100 mOhms 容差:10 % 端接類型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 105 C 尺寸:7.92 mm Dia. x 16.28 mm L 引線間隔: 系列:T550 產品:Tantalum Solid Hermetically Sealed 封裝:Tray
TIM685K015P0X 功能描述:鉭質電容器-固體鉛 6.8uF 15Volts RoHS:否 制造商:Kemet 電容:100 uF 電壓額定值:60 V ESR:100 mOhms 容差:10 % 端接類型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 105 C 尺寸:7.92 mm Dia. x 16.28 mm L 引線間隔: 系列:T550 產品:Tantalum Solid Hermetically Sealed 封裝:Tray
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