參數(shù)資料
型號： TIM6472-8UL
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： MICROWAVE POWER GaAs FET
中文描述： 微波功率GaAs場效應管
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 56K
代理商： TIM6472-8UL
2
T IM6472-8UL
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Ta= 25
°
C )
CHARACTERISTICS
SYMBOL
V
DS
V
GS
I
DS
P
T
T
ch
T
stg
UNIT
RATING
Drain-Source Voltage
V
15
Gate-Source Voltage
V
-5
Drain Current
Total Power Dissipation (Tc= 25
°
C)
Channel Temperature
Storage
PACKAGE OUTLINE (2-11D1B)
A
W
°
C
°
C
7.0
42.9
175
-65 to +175
Unit in mm
(1) Gate
(2) Source
(3) Drain
HANDLING PRECAUTIONS FOR PACKAGE MODEL
Soldering iron should be grounded and the operating time should not exceed 10 seconds
at 260
°
C.
3
±
0
0
+
-
0
1
±
0
2
±
0
5
4
4
1
±
0
4-C1.2
0.6
±
0.15
17
±
0.3
21
±
0.2
11.0 MAX.
(1)
(2)
(2)
12
(3)
相關PDF資料
PDF描述
TIM7785-12UL BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET
TIM7785-4UL MICROWAVE POWER GaAs FET
TIP100 NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor（Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistor）(NPN硅外延達林頓晶體管（內置基極-射極分流電阻單片結構）)
TIP101 NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor（Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistor）(NPN硅外延達林頓晶體管（內置基極-射極分流電阻單片結構）)
TIP102 NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor（Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistor）(NPN硅外延達林頓晶體管（內置基極-射極分流電阻單片結構）)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
TIM6472-8UL_09 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:HIGH POWER P1dB=39.5dBm at 6.4GHz to 7.2GHz
TIM684K035POX 制造商:Cornell Dubilier Electronics 功能描述: 制造商:Mallory Sonalert Products Inc 功能描述:
TIM684K050POX 制造商:Mallory Sonalert Products Inc 功能描述:
TIM685K010P0X 功能描述:鉭質電容器-固體鉛 6.8uF 10Volts RoHS:否 制造商:Kemet 電容:100 uF 電壓額定值:60 V ESR:100 mOhms 容差:10 % 端接類型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 105 C 尺寸:7.92 mm Dia. x 16.28 mm L 引線間隔: 系列:T550 產品:Tantalum Solid Hermetically Sealed 封裝:Tray
TIM685K015P0X 功能描述:鉭質電容器-固體鉛 6.8uF 15Volts RoHS:否 制造商:Kemet 電容:100 uF 電壓額定值:60 V ESR:100 mOhms 容差:10 % 端接類型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 105 C 尺寸:7.92 mm Dia. x 16.28 mm L 引線間隔: 系列:T550 產品:Tantalum Solid Hermetically Sealed 封裝:Tray
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