參數(shù)資料
型號(hào)： TIM3742-8UL
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： MICROWAVE POWER GaAs FET
中文描述： 微波功率GaAs場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 80K
代理商： TIM3742-8UL
4
TIM3742-8UL
0
10
20
30
40
50
0
40
80
120
160
200
)
Tc (
℃
)
P
T
(
POWER DISSIPATION vs. CASE TEMPERATURE
-60
-50
-40
-30
-20
24
26
28
30
32
34
I
V
DS
= 10V
I
DS
2.2A
f= 3.95GHz
f= 5MHz
IM
3
vs. OUTPUT POWER CHARACTERISTICS
Po(dBm), Single Carrier Level
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TIM4450-8SL MICROWAVE POWER GaAs FET
TIM5359-60SL MICROWAVE POWER GaAs FET
TIM6472-30SL MICROWAVE POWER GaAs FET
TIM6472-8UL MICROWAVE POWER GaAs FET
TIM7785-12UL BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET
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參數(shù)描述
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TIM396K010P0Y 功能描述:鉭質(zhì)電容器-固體鉛 39uF 10Volts RoHS:否 制造商:Kemet 電容:100 uF 電壓額定值:60 V ESR:100 mOhms 容差:10 % 端接類型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 105 C 尺寸:7.92 mm Dia. x 16.28 mm L 引線間隔: 系列:T550 產(chǎn)品:Tantalum Solid Hermetically Sealed 封裝:Tray
TIM396K025P0Z 制造商:Cornell Dubilier Electronics 功能描述:
TIM396M010P0Y 功能描述:鉭質(zhì)電容器-固體鉛 39uF 10Volts RoHS:否 制造商:Kemet 電容:100 uF 電壓額定值:60 V ESR:100 mOhms 容差:10 % 端接類型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 105 C 尺寸:7.92 mm Dia. x 16.28 mm L 引線間隔: 系列:T550 產(chǎn)品:Tantalum Solid Hermetically Sealed 封裝:Tray
TIM4450-12UL 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR, GAAS FET INTERNALLY MATCHED, 4GHZ, 62.5W - Trays
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