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參數(shù)資料
| 型號： | THN5601B |
| 廠商： | Tachyonics CO,. LTD. |
| 英文描述： | NPN SiGe RF POWER TRANSISTOR |
| 中文描述： | npn型硅鍺射頻功率晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 100K |
| 代理商： | THN5601B |
THN5601B
□
THERMAL CHARACTERISTICS
Rth j-s
PT=1W; Ts=60
℃
;note1
* Note 1. Ts is temperature at the soldering point of the collector pin.
□
QUICK REFERENCE DATA
RF performance at Ts
≤
60
℃
in common emitter test circuit (see Fig 8.)
VALUE
Mode of Operation
CW, class-AB
SYMBOL
PARAMETER
CONDITION
4.8
600
Unit
thermal resistance from junction
to soldering point
K/W
η
C
[%]
G
P
[dB]
P
L
[mW]
V
CE
[V]
f [MHz]
900
≥
7
≥ 60
55
www.tachyonics.co.kr
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Mar-22-2005
Rev 1.2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| THN5601SF | NPN SiGe RF POWER TRANSISTOR |
| THN5602F | NPN SiGe RF POWER TRANSISTOR |
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| THN6201 | NPN SiGe RF TRANSISTOR |
| THN6201E | NPN SiGe RF TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| THN5601SF | 制造商:TACHYONICS 制造商全稱:TACHYONICS 功能描述:NPN SiGe RF POWER TRANSISTOR |
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