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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | THM2003J |
| 廠商： | Tachyonics CO,. LTD. |
| 英文描述： | SiGe HBT MMIC Wideband Linear Amplifier |
| 中文描述： | SiGe HBT的單片寬帶線性放大器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 193K |
| 代理商： | THM2003J |
Electrical Characteristics
(T
A
= 25
, V
CC
= 5V , Z
S
= Z
L
= 50
)
Absolute Maximum Ratings
-55 to +150
Storage Temperature Range
+150
Maximum Junction Temperature
-40 to +85
Operation Temperature Range
dBm
+10
RF Input Power
mA
30
Supply Current
Supply Voltage
Parameter
V
6
Unit
Rating
I
CC
ISL
NF
RL
OUT
RL
IN
P
O(sat)
Gp
f
3dB
Page 4 of 8
60-8, Gasan-dong, Kumchun-Gu,
Seoul, Korea. 153-023
May. 2004.
Tel : 82-2-818-9832
Fax : 82-2-818-9635
http://www.tachyonics.co.kr
Rev. 1.0
PRELIMINARY
Wideband Linear Amplifier
THM2003J
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| THN4201 | NPN SiGe RF TRANSISTOR |
| THN4201E | NPN SiGe RF TRANSISTOR |
| THN4201KF | NPN SiGe RF TRANSISTOR |
| THN4201U | NPN SiGe RF TRANSISTOR |
| THN4201Z | NPN SiGe RF TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| THM2004J | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SiGe HBT MMIC Wideband Linear Amplifier |
| THM321000S-10 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:1,048,576 WORDS x 32 BIT DYNAMIC RAM MODULE |
| THM321000S-80 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:1,048,576 WORDS x 32 BIT DYNAMIC RAM MODULE |
| THM321000SG-10 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:1,048,576 WORDS x 32 BIT DYNAMIC RAM MODULE |
| THM321000SG-80 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:1,048,576 WORDS x 32 BIT DYNAMIC RAM MODULE |
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