參數(shù)資料
型號(hào): TE28F640B3TC100
廠商: INTEL CORP
元件分類(lèi): DRAM
英文描述: 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory
中文描述: 4M X 16 FLASH 3V PROM, 100 ns, PDSO48
封裝: 12 X 20 MM, TSOP-48
文件頁(yè)數(shù): 58/58頁(yè)
文件大小: 920K
代理商: TE28F640B3TC100
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PDF描述
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參數(shù)描述
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