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參數(shù)資料
| 型號： | TE28F200CV-T80 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2-MBIT SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| 中文描述： | 256K X 8 FLASH 5V PROM, 110 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 34/55頁 |
| 文件大?。?/td> | 638K |
| 代理商： | TE28F200CV-T80 |
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2-MBIT SmartVoltage BOOT BLOCK FAMILY
E
34
SEE NEW DESIGN RECOMMENDATIONS
4.5
AC Characteristics
—Commercial
Prod
BV-60
Sym
Parameter
V
CC
3.3 ± 0.3 V
(5)
5 V ± 5%
(6)
5 V ± 10%
(7)
Unit
Load
50 pF
30 pF
100 pF
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
AVAV
Read Cycle Time
110
60
70
ns
t
AVQV
Address to Output Delay
110
60
70
ns
t
ELQV
CE# to Output Delay
2
110
60
70
ns
t
PHQV
RP# to Output Delay
0.8
0.45
0.45
μ
s
t
GLQV
OE# to Output Delay
2
65
30
35
ns
t
ELQX
CE# to Output in Low Z
3
0
0
0
ns
t
EHQZ
CE# to Output in High Z
3
45
20
20
ns
t
GLQX
OE# to Output in Low Z
3
0
0
0
ns
t
GHQZ
OE# to Output in High Z
3
45
20
20
ns
t
OH
Output Hold from Address,
CE#, or OE# Change,
Whichever Occurs First
3
0
0
0
ns
t
ELFL
t
ELFH
CE# Low to BYTE# High or
Low
3
0
0
0
ns
t
AVFL
Address to BYTE# High or
Low
3
5
5
5
ns
t
FLQV
t
FHQV
t
FLQZ
BYTE# to Output Delay
3,4
110
60
70
ns
BYTE# Low to Output in
High Z
3
45
20
25
ns
t
PLPH
Reset Pulse Width Low
8
150
60
60
ns
t
PLQZ
RP# Low to Output High-Z
150
60
60
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TE28F200CVT80 | 2-MBIT SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
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參數(shù)描述 |
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