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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TE28F200BX-T80 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2-MBIT (128K x 16, 256K x 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| 中文描述： | 128K X 16 FLASH 12V PROM, 80 ns, PDSO56 |
| 封裝： | 20 X 14 MM, TSOP-56 |
| 文件頁數(shù)： | 36/55頁 |
| 文件大小： | 638K |
| 代理商： | TE28F200BX-T80 |
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2-MBIT SmartVoltage BOOT BLOCK FAMILY
E
36
SEE NEW DESIGN RECOMMENDATIONS
Address Stable
Device and
Address Selection
V
IL
V
V
ADDRESSES (A)
IH
IL
V
V
IH
IL
V
V
IH
IL
V
V
CE# (E)
OE# (G)
WE# (W)
DATA (D/Q)
IH
V
IL
V
RP#(P)
OL
V
PHQV
t
High Z
Valid Output
Data
Valid
Standby
AVAV
t
EHQZ
t
GHQZ
t
OH
t
GLQV
t
t
GLQX
t
ELQV
ELQX
t
AVQV
t
High Z
0530_15
Figure 15. AC Waveforms for Read Operations
Address Stable
Device
Address Selection
V
IL
V
V
ADDRESSES (A)
IH
IL
V
V
IH
IL
V
V
IH
IL
V
CE# (E)
OE# (G)
BYTE# (F)
DATA (D/Q)
(DQ0-DQ7)
OL
V
OH
V
High Z
Data Output
on DQ0-DQ7
Data
Valid
Standby
AVAV
t
EHQZ
t
GHQZ
t
AVQV
t
High Z
GLQV
ELQV
GLQX
t
t
t
AVQV
t
OH
t
Data Output
on DQ0-DQ7
DATA (D/Q)
(DQ8-DQ14)
OL
V
OH
V
High Z
Data Output
on DQ8-DQ14
High Z
(DQ15/A-1)
OL
V
OH
V
High Z
High Z
Data Output
on DQ15
Address Input
FLQZ
t
ELQX
t
ELFL
t
AVFL
t
0530_16
Figure 16. BYTE# Timing Diagram for Read Operations
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TE28F200CV-T60 | 2-MBIT SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F200CV-T80 | 2-MBIT SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F200CVT80 | 2-MBIT SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F800B3T110 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F800CEB120 | 8-MBIT (512K X 16, 1024K X 8) SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| TE28F200CVB80 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:2-MBIT SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F200CV-B80 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:2-MBIT SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F200CV-T60 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:2-MBIT SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
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