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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TE28F160B3BA90 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| 中文描述： | 1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, TSOP-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 28/48頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 304K |
| 代理商： | TE28F160B3BA90 |
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SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK
E
28
PRELIMINARY
4.5
AC Characteristics
—Read Operations
(1)
Product
3.0 V
–3.6 V
80 ns
100 ns
2.7 V–3.6 V
90 ns
110 ns
#
Sym
Parameter
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Unit
R1
t
AVAV
Read Cycle Time
80
90
100
110
ns
R2
t
AVQV
Address to
Output Delay
80
90
100
110
ns
R3
t
ELQV
CE# to Output
Delay
2
80
90
100
110
ns
R4
t
GLQV
OE# to Output
Delay
2
30
30
30
30
ns
R5
t
PHQV
RP# to Output
Delay
600
600
600
600
ns
R6
t
ELQX
CE# to Output in
Low Z
3
0
0
0
0
ns
R7
t
GLQX
OE# to Output in
Low Z
3
0
0
0
0
ns
R8
t
EHQZ
CE# to Output in
High Z
3
25
25
25
25
ns
R9
t
GHQZ
OE# to Output in
High Z
3
25
25
25
25
ns
R10
t
OH
Output Hold from
Address, CE#, or
OE# Change,
Whichever
Occurs First
3
0
0
0
0
ns
NOTES:
1.
2.
3.
See AC Waveform: Read Operations
OE# may be delayed up to t
ELQV
–t
GLQV
after the falling edge of CE# without impact on t
ELQV
.
Sampled, but not 100% tested.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TE28F016B3TA110 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F016B3TA90 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F032B3T90 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F032B3TA110 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F032B3TA90 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TE28F160B3BC70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F160B3BC80 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F160B3BD70 | 制造商:Intel 功能描述: |
| TE28F160B3BD70A | 功能描述:IC FLASH 16MBIT 70NS 48TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 |
| TE28F160B3T110 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
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