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參數(shù)資料
| 型號： | TE28F016B3B150 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK BYTE-WIDE |
| 中文描述： | 2M X 8 FLASH 3V PROM, 150 ns, PDSO40 |
| 封裝： | 10 X 20 MM, TSOP-40 |
| 文件頁數(shù)： | 38/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 408K |
| 代理商： | TE28F016B3B150 |
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SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK
–BYTE-WIDE
E
38
PRELIMINARY
TEST POINTS
INPUT
OUTPUT
V
CCQ
0.0
V
CCQ
2
V
CCQ
2
0605-011
NOTE:
AC test inputs are driven at V
CCQ
for a logic
“1” and 0.0V for a logic “0.” Input timing begins, and output timing ends, at V
CCQ
/2.
Input rise and fall times (10%–90%) <10 ns. For worst case speed conditions V
CCQ
=1.8V.
Figure 12. 1.8V
—2.2V Input Range and Measurement Points
C
L
Out
V
CCQ
Device
under
Test
R
1
R
2
0605-012
NOTE:
See table for component values.
Figure 13. Test Configuration
Test Configuration Component Values
for Worst Case Speed Conditions
Test Configuration
C
L
(pF)
R
1
(
) R
2
(
)
1.8V Standard Test
50
16.7K
16.7K
NOTE:
C
L
includes jig capacitance.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TE28F016B3T120 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK BYTE-WIDE |
| TE28F016B3T150 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK BYTE-WIDE |
| TEA0652 | MONOLITHISCHE STEREO IS |
| TEA0654 | MONOLITHISCHE STEREO IS |
| TEA1017 | 13 BIT SERIES PARALLEL CONVERTER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TE28F016B3B90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F016B3BA110 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F016B3BA90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F016B3T110 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F016B3T120 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK BYTE-WIDE |
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