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參數(shù)資料
| 型號： | TE28F010-90 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 128K X 8 FLASH 12V PROM, 90 ns, PDSO32 |
| 封裝： | 0.310 X 0.720 INCH, TSOP-32 |
| 文件頁數(shù)： | 24/33頁 |
| 文件大?。?/td> | 895K |
| 代理商： | TE28F010-90 |
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28F010
E
24
4.7
DC Characteristics
—CMOS Compatible—Extended Temperature Products
(Continued)
Limits
Symbol
Parameter
Notes
Min
Typ
(3)
Max
Unit
Test Conditions
I
PP2
V
PP
Programming Current
1, 2
8.0
30
mA
V
PP
= V
PPH
Programming in Progress
I
PP3
V
PP
Erase Current
1, 2
6.0
30
mA
V
PP
PPH
Erasure in Progress
I
PP4
V
PP
Program Verify
Current
1, 2
2.0
5.0
mA
V
PP
= V
PPH
Program Verify in Progress
I
PP5
V
PP
Erase Verify Current
1, 2
2.0
5.0
mA
V
PP
= V
PPH
Erase Verify in Progress
V
IL
Input Low Voltage
–0.5
0.8
V
V
IH
Input High Voltage
0.7
V
CC
V
CC
+
0.5
V
V
OL
Output Low Voltage
0.45
V
V
CC
= V
CC
Min
I
OL
= 5.8 mA
V
OH1
Output High Voltage
0.85
V
CC
V
V
CC
= V
CC
Min
I
OH
= –2.5 mA
V
OH2
V
CC
– 0.4
V
CC
= V
CC
Min
I
OH
= –100 μA
V
ID
A
9
Intelligent Identifier
Voltage
11.50
13.00
V
I
ID
A
9
Intelligent Identifier
Current
1, 2
90
500
μA
A
9
= V
ID
V
PPL
V
PP
during Read-Only
Operations
0.00
6.5
V
NOTE:
Erase/Programs are
Inhibited when V
PP
= V
PPL
V
PPH
V
PP
during Read/Write
Operations
11.40
12.60
V
V
LKO
V
CC
Erase/Write Lock
Voltage
2.5
V
NOTE:
Refer to Section 4.4.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TE28F010-150 | 28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| TE28F010-120 | 28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| TE28F016B3B110 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F008 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F008B3B110 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TE28F016 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F016B3B110 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F016B3B120 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK BYTE-WIDE |
| TE28F016B3B150 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK BYTE-WIDE |
| TE28F016B3B90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
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