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參數(shù)資料
| 型號： | TE28F008B3B110 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| 中文描述： | 1M X 8 FLASH 2.7V PROM, 110 ns, PDSO40 |
| 封裝： | 10 X 20 MM, TSOP-40 |
| 文件頁數(shù)： | 24/48頁 |
| 文件大?。?/td> | 304K |
| 代理商： | TE28F008B3B110 |
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SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK
E
24
PRELIMINARY
4.2
Operating Conditions
Symbol
Parameter
Notes
Min
Max
Units
T
A
Operating Temperature
–40
+85
°C
V
CC1
V
CC
Supply Voltage
1
2.7
3.6
Volts
V
CC2
2.7
2.85
V
CC3
2.7
3.3
V
CCQ1
I/O Supply Voltage
1
2.7
3.6
Volts
V
CCQ2
1.65
2.5
V
CCQ3
1.8
2.5
V
PP1
Program and Erase Voltage
1
2.7
3.6
Volts
V
PP2
2.7
2.85
V
PP3
2.7
3.3
V
PP4
2, 3
11.4
12.6
Cycling
Block Erase Cycling
3
100,000
Cycles
NOTES:
1.
2.
V
CC1
, V
CCQ1
, and V
PP3
must share the same supply when all three are between 2.7 V and 3.6 V.
During read operations or idle time, 5 V may be applied to V
PP
indefinitely. V
PP
must be at valid levels for program and
erase operations
Applying V
= 11.4 V
–12.6 V during a program/erase can only be done for a maximum of 1000 cycles on the main blocks
and 2500 cycles on the parameter blocks. V
PP
may be connected to 12 V for a total of 80 hours maximum. See Section 3.4
for details.
3.
4.3
T
A
= 25 °C, f = 1 MHz
Capacitance
Sym
Parameter
Notes
Typ
Max
Units
Conditions
C
IN
Input Capacitance
1
6
8
pF
V
IN
= 0 V
C
OUT
Output Capacitance
1
10
12
pF
V
OUT
= 0 V
NOTE:
1.
Sampled, not 100% tested.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TE28F008B3B90 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F008B3BA110 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F008B3BA90 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F008B3T110 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F008B3T90 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TE28F008B3B120 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK BYTE-WIDE |
| TE28F008B3B150 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK BYTE-WIDE |
| TE28F008B3B90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F008B3BA110 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F008B3BA90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
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