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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TE28F004BX-B80 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | Series RR3112 round rocker switches have an ergonomic feel and multiple circuit options |
| 中文描述： | 512K X 8 FLASH 12V PROM, 80 ns, PDSO40 |
| 封裝： | 20 X 10 MM, TSOP-40 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 30/58頁(yè) |
| 文件大小： | 920K |
| 代理商： | TE28F004BX-B80 |
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28F004/400B3, 28F008/800B3, 28F016/160B3, 28F320B3, 28F640B3
24
3UHOLPLQDU\
AC Characteristics, Continued
NOTES:
1. OE# may be delayed up to t
ELQV–
t
GLQV
after the falling edge of CE# without impact on t
ELQV
.
2. Sampled, but not 100% tested.
See
Figure 7, “AC Waveform: Read Operations” on page 26
.
See
Figure 5, “Input/Output Reference Waveform” on page 22
for timing measurements and maximum
allowable input slew rate.
#
Sym
Para-
meter
Density
16 Mbit
Unit
Product
70 ns
80 ns
90 ns
110 ns
V
CC
2.7 V
–3.6 V
2.7 V–3.6 V
3.0 V–3.6 V
2.7 V–3.6 V
3.0 V–3.6 V
2.7 V–3.6 V
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
R1
t
AVAV
Read Cycle Time
70
80
80
90
100
110
ns
R2
t
AVQV
Address to Output
Delay
70
80
80
90
100
110
ns
R3
t
ELQV
CE# to Output
Delay
70
80
80
90
100
110
ns
R4
t
GLQV
OE# to Output
Delay
20
20
30
30
30
30
ns
R5
t
PHQV
RP# to Output Delay
150
150
600
600
600
600
ns
R6
t
ELQX
CE# to Output in
Low Z
0
0
0
0
0
0
ns
R7
t
GLQX
OE# to Output in
Low Z
0
0
0
0
0
0
ns
R8
t
EHQZ
CE# to Output in
High Z
20
20
25
25
25
25
ns
R9
t
GHQZ
OE# to Output in
High Z
20
20
25
25
25
25
ns
R10
t
OH
Output Hold from
Address, CE#, or
OE# Change,
Whichever Occurs
First
0
0
0
0
0
0
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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