參數(shù)資料
型號： TC58FT321-10
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： 32M Bit (2M×16Bits ) CMOS Flash Memory(2M×16位CMOS閃速存儲器)
中文描述： 32兆位（200萬× 16位）的CMOS快閃記憶體（200萬× 16位的CMOS閃速存儲器）
文件頁數(shù)： 37/46頁
文件大?。?/td> 518K
代理商： TC58FT321-10
TC58FVT321/B321FT-10
2000-08-30 37/46
Block Protect 1
Yes
No
PLSCNT
=
1
WE
=
V
IL
Start
PLSCNT
=
25
Protect Another Block
Data
=
01H
PLSCNT
=
PLSCNT
+
1
Set up Block Address
Addr.
=
BPA
OE
=
A9
=
V
ID
,
CE
=
V
IL
Wait for 100
μ
s
Verify Block Protect
Remove V
ID
from A9
Yes
No
OE
=
V
IL
No
Yes
BPA: Block Address and ID Read Address (A6, A1, A0)
ID Read Address
=
(0, 1, 0)
Wait for 4
μ
s
Wait for 4
μ
s
WE
=
V
IH
Wait for 4
μ
s
Block Protect
Complete
Device Failed
OE
=
V
IH
Wait for 4
μ
s
相關PDF資料
PDF描述
TC58FVT321-10 32M Bit (4M×8Bits ) CMOS Flash Memory(4M×8位CMOS閃速存儲器)
TC58FV321 TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 32-MBIT (4M X 8 BITS / 2M X 16 BITS) CMOS FLASH MEMORY
TC58NS256DC TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 256-MBIT (32M ?8 BITS) CMOS NAND E2PROM (32M BYTE SmartMediaTM)
TC58V32ADC 32M Bit (4M×8Bits ) CMOS Flash Memory(4M×8位CMOS閃速存儲器)
TC59RM716RB-6 128M Bits（256K x16x32Banks）DRAM(128M位（256K x16x32組）動態(tài)RAM)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
TC58FV321 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 32-MBIT (4M X 8 BITS / 2M X 16 BITS) CMOS FLASH MEMORY
TC58FVB004FT-10 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:4M (512K x 8) BIT CMOS FLASH MEMORY
TC58FVB004FT-12 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:4M (512K x 8) BIT CMOS FLASH MEMORY
TC58FVB004FT-85 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:4M (512K x 8) BIT CMOS FLASH MEMORY
TC58FVB160A 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
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