參數(shù)資料
型號(hào)： TC58FT321-10
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： 32M Bit (2M×16Bits ) CMOS Flash Memory(2M×16位CMOS閃速存儲(chǔ)器)
中文描述： 32兆位（200萬× 16位）的CMOS快閃記憶體（200萬× 16位的CMOS閃速存儲(chǔ)器）
文件頁數(shù)： 24/46頁
文件大小： 518K
代理商： TC58FT321-10
TC58FVT321/B321FT-10
2000-08-30 24/46
ID Read Operation (input command sequence)
Address
WE
CE
D
IN
t
CMD
D
OUT
BK
+
00H
BK
+
555H
2AAH
555H
t
RC
55H
90H
t
OES
Note: Word Mode address shown.
BK: bank address
OE
BK
+
01H
AAH
Manufacturer code
Device code
Hi-Z
Read Mode (input of ID Read command sequence)
ID Read Mode
Address
WE
CE
D
IN
t
CMD
D
OUT
555H
2AAH
555H
55H
OE
AAH
F0H
ID Read Mode (input
of Reset command sequence)
Read Mode
(Continued)
Hi-Z
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TC58FVT321-10 32M Bit (4M×8Bits ) CMOS Flash Memory(4M×8位CMOS閃速存儲(chǔ)器)
TC58FV321 TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 32-MBIT (4M X 8 BITS / 2M X 16 BITS) CMOS FLASH MEMORY
TC58NS256DC TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 256-MBIT (32M ?8 BITS) CMOS NAND E2PROM (32M BYTE SmartMediaTM)
TC58V32ADC 32M Bit (4M×8Bits ) CMOS Flash Memory(4M×8位CMOS閃速存儲(chǔ)器)
TC59RM716RB-6 128M Bits（256K x16x32Banks）DRAM(128M位（256K x16x32組）動(dòng)態(tài)RAM)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TC58FV321 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 32-MBIT (4M X 8 BITS / 2M X 16 BITS) CMOS FLASH MEMORY
TC58FVB004FT-10 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:4M (512K x 8) BIT CMOS FLASH MEMORY
TC58FVB004FT-12 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:4M (512K x 8) BIT CMOS FLASH MEMORY
TC58FVB004FT-85 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:4M (512K x 8) BIT CMOS FLASH MEMORY
TC58FVB160A 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
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