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參數資料
| 型號： | TC58DVM72A1FT00 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | 128-MBIT (16M x 8 BITS/8M x 16BITS) CMOS NAND E2PROM |
| 中文描述： | 128兆位（16米x 8 BITS/8M x 16位）的CMOS NAND型E2PROM的 |
| 文件頁數： | 28/34頁 |
| 文件大?。?/td> | 369K |
| 代理商： | TC58DVM72A1FT00 |
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TC58DVM72A1FT00/ TC58DVM72F1FT00
TC58DAM72A1FT00/ TC58DAM72F1FT00
2003-01-24 28/34
(9)
BY
/
RY
: termination for the Ready/Busy pin (
BY
/
RY
)
A pull-up resistor needs to be used for termination because the
circuit.
BY
/
RY
buffer consists of an open drain
This data may vary from device to device.
We recommend that you use this data as a reference
when selecting a resistor value.
V
CCQ
Device
V
SS
R
BY
/
RY
C
L
t
f
Ready
V
CCQ
t
r
Busy
1.5
P
s
1.0
P
s
0.5
P
s
0
1 K
:
4 K
:
3 K
:
2 K
:
15 ns
10 ns
5 ns
t
f
t
r
R
t
r
t
f
V
CCQ
1.8 V
Ta
25°C
C
L
30 pF
Figure 21.
DIN
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TC58DVM72F1FT00 | 128-MBIT (16M x 8 BITS/8M x 16BITS) CMOS NAND E2PROM |
| TC58DVM82A1FT00 | 128-MBIT (16M x 8 BITS/8M x 16BITS) CMOS NAND E2PROM |
| TC58DVM82F1FT00 | 128-MBIT (16M x 8 BITS/8M x 16BITS) CMOS NAND E2PROM |
| TC58FVB160-10 | 16M Bit (1M×16 Bit/2M×8 Bit) CMOS Flash Memory(16M位 CMOS閃速存儲器) |
| TC58FVB160-12 | 16M Bit (1M×16Bits ) CMOS NAND EEPROM(16M CMOS與非EEPROM) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| TC58DVM72A1FT00BBH | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| TC58DVM72A1FT10BBH | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| TC58DVM72A1FTI | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:128 Mb (16M x 8) Nand, Flash Memory |
| TC58DVM72A1FTI (YBEL) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| TC58DVM72A1FTI0BBH | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
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