參數(shù)資料
型號(hào)： TC55VCM216ASTN40
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
中文描述： 馬鞍山暫定東芝數(shù)字集成電路硅柵CMOS
文件頁(yè)數(shù)： 10/14頁(yè)
文件大小： 201K
代理商： TC55VCM216ASTN40
TC55VCM216ASTN40,55
2002-07-04 10/14
WRITE CYCLE 4 ( , LB
(See Note 4)
Note:
(1)
R/W remains HIGH for the read cycle.
(2)
If CE1(or UB or LB) goes LOW(or CE2 goes HIGH) coincident with or after R/W goes LOW, the
outputs will remain at high impedance.
(3)
If CE1(or UB or LB) goes HIGH(or CE2 goes LOW) coincident with or before R/W goes HIGH, the
outputs will remain at high impedance.
(4)
If OE is HIGH during the write cycle, the outputs will remain at high impedance.
(5)
Because I/O signals may be in the output state at this time, input signals of reverse polarity must not be
applied.
R/W
t
WC
t
AS
t
WR
t
WP
1
CE
VALID DATA IN
t
DS
t
DH
Hi-Z
Hi-Z
t
CW
CE2
t
BW
t
BE
t
COE
t
ODW
UB
, LB
t
CW
(See Note 5)
Address
A0~A17
D
OUT
I/O1~16
D
IN
I/O1~16
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TC55VCM216ASTN55 TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
TC55VD1618FF-133 1M Word x 18 Bit Synchronous No-turnround Static RAM(1M 字x18位同步無(wú)轉(zhuǎn)向靜態(tài) RAM)
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TC55VD818FF-133 512K Word x 18 Bit Synchronous No-turnround Static RAM(512K 字x18位同步無(wú)轉(zhuǎn)向靜態(tài) RAM)
TC55VD818FF-150 512K Word x 18 Bit Synchronous No-turnround Static RAM(512K 字x18位同步無(wú)轉(zhuǎn)向靜態(tài) RAM)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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