參數(shù)資料
型號： TC55VBM316ATGN40
元件分類： SRAM
英文描述： 512K X 16 STANDARD SRAM, 55 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48
文件頁數(shù)： 3/15頁
文件大?。?/td> 209K
代理商： TC55VBM316ATGN40
TC55VBM316ATGN/ASGN40,55
2002-05-14
11/15
DATA RETENTION CHARACTERISTICS (Ta
==== 40° to 85°C)
SYMBOL
PARAMETER
MIN
TYP
MAX
UNIT
VDH
Data Retention Supply Voltage
1.5
3.6
V
VDH = 3.6 V Ta = 40~85°C
10
Ta
= 40~40°C
2
IDDS2
Standby Current
VDH = 3.0 V
Ta
= 40~85°C
5
A
tCDR
Chip Deselect to Data Retention Mode Time
0
ns
tR
Recovery Time
5
ms
CONTROLLED DATA RETENTION MODE
(See Note 1)
CE2 CONTROLLED DATA RETENTION MODE
(See Note 3)
,
CONTROLLED DATA RETENTION MODE
(See Note 4)
VDD
2.3 V
GND
VIL
DATA RETENTION MODE
tR
tCDR
VDD
0.2 V
VIH
CE2
CE1
VDD
2.3 V
GND
VIH
DATA RETENTION MODE
tR
(See Note 2)
tCDR
VDD
VDD 0.2 V
1
CE
UB LB
VDD
2.3 V
GND
VIH
DATA RETENTION MODE
tR
(See Note 5)
tCDR
VDD
VDD 0.2 V
UB
, LB
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PDF描述
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