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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | T431616E-7S |
| 廠商： | TM Technology, Inc. |
| 英文描述： | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 100萬× 16內(nèi)存為512k × 16Bit的X 2Banks同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 12/74頁 |
| 文件大?。?/td> | 781K |
| 代理商： | T431616E-7S |
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TE
CH
tm
T431616D/E
TM Technology Inc. reserves the right
P. 12
to change products or specifications without notice.
Publication Date: FEB. 2007
Revision: A
RAS#
T0
T 1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10
CLK
CKE
CS#
CAS#
WE#
A11
A10
A0-A9
DQM
DQ
tCK2
Clock min.
Address Key
t
RP
Hi-Z
PrechargeAll
Mode Register
Set Command
Any
Command
Mode Register Set Cycle
(CAS# Latency = 1, 2, 3)
The mode register is divided into various fields depending on functionality.
Burst Length Field (A2~A0)
This field specifies the data length of column access using the A2~A0 pins and selects the Burst
Length to be 1, 2, 4, 8, or full page.
A2
0
0
0
0
1
1
1
1
A1
0
0
1
1
0
0
1
1
A0
0
1
0
1
0
1
0
1
Burst Length
1
2
4
8
Reserved
Reserved
Reserved
Full Page
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T431616E-7SG | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T436416A | 4M X 16 SDRAM |
| T436416A-10S | 4M X 16 SDRAM |
| T436416A-10SG | Terminal Block End Barrier; For Use With:AB1 Series Terminal Blocks; Accessory Type:End Barrier; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes RoHS Compliant: Yes |
| T436416A-6S | 4M X 16 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| T431616E-7SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T4322 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIANGULAR TYPE |
| T4323 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIANGULAR TYPE |
| T4333 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIANGULAR TYPE |
| T43331G | 制造商:BITECH 制造商全稱:Bi technologies 功能描述:Thick Film Super Low Profile SIP Resistor Networks |
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